Принц Виктор Яковлевич

21 апреля 1950 - 24 июня 2021

21 апреля 1950 — 24 июня 2021
Виктор Яковлевич Принц
1950 — 2021

Сквозь биографию

— 214 с. Ви́ктор Я́ковлевич Принц (21 апреля 1950, Тавда, Свердловская область — 24 июня 2021, Новосибирск, Новосибирская область) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019). Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур. Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур, состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков и двумерных материалов. Родился 21 апреля 1950 года в городе Тавде Свердловской области в семье высланных в начале Великой Отечественной войны крымских немцев, где с апреля 1941 по август 1945 гг. После разрешения в 1956 году покинуть поселение семья переехала в город в Тараз в Казахстан. В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. Ржанова СО РАН в должностях младшего, затем старшего научного сотрудника. В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством Александра Филипповича Кравченко. В частности, решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов. В начале 1990-х годов заинтересовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них.

Ранние годы

Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило в русскоязычной литературе название Принц-технологии. Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, группы ОНЭКСИМ, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ. Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов). Индекс Хирша (2023) — 23. Умер 24 июня 2021 года от COVID-19. Сын — Александр Викторович Принц. Двоюродный дедушка — академик Яков Иванович Принц. Тройные растворы полупроводников с составом типа AxC1-xB (например, In0,25Ga0,75As) имеют отличающуюся от полупроводников AIIIBV (например, GaAs, InAs) постоянную решётки, поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные механические напряжения. Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить напряжённую плёнку толщиной только в несколько монослоёв на подложке InP. GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя биплёнку, состоящую из сжатого слоя InAs и растягнутого — GaAs. Принц предложил использовать биплёнки с асимметричным напряжением, выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкой. где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя слоями плёнки.

🏛 Путь и дело

Полученные свитки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя, можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе GexSi1-x псевдоморфных плёнок. Принца изучался диоксид ванадия, который может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Ya., Seleznev V. A., Gutakovsky A. K., Chehovskiy A. V., Putyato M. A., Gavrilova T. 6. 828—831. Golod S.

Главное дело

V., Prinz V. I., Gutakovsky A. — 2001. 16. — P. Prinz V. — Vol. 12. — P. Prinz V. — 2003. — Vol.

Документальный облик

— P. 466—475. Prinz V. Ya., Seleznev V. K. — Singapore : World Scientific, 1999. Фрицлер К. Б., Принц В. 189. 55—71. Я. А.

Наследие

Асеева. — Новосибирск: Сибирское отделение Российской академии наук, 2004. — 368 с. В. Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур : диссертация … доктора физико-математических наук : 01.04.10. Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твердых растворах на его основе методами емкостной спектроскопии : диссертация …

Память о Виктор Яковлевич Принц сохраняется там, где остаются подтвержденные документы, работы и свидетельства его пути.

Этот биографический рассказ держится на реальных источниках и уважении к дело жизни.